SI4162DY-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 19.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 19.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 7.9 мОм |
| Мощность макс.: | 5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 1155пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4162DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент SI4162DY-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 19.3A (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 1155пФ
- Заряд затвора: 30нКл
- Корпус: SOIC8
- Мощность макс.: 5Вт
- Наименование: SI4162DY-T1-GE3
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC