Представляем вашему вниманию полевой N-канальный MOSFET транзистор IRF5801TRPBF от компании Infineon Technologies - надежное и высокопроизводительное решение для широкого спектра электронных применений. Этот компонент отличается высокими показателями рабочего напряжения, тока и мощности, что делает его идеальным выбором для использования в различных схемах силовой электроники и управления.

Транзистор IRF5801TRPBF обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 600мА
• Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
• Мощность макс.: 2Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
• Заряд затвора: 3.9нКл
• Входная емкость: 88пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: TSOP-6
• Вес брутто: 0.07 г
• Описание Eng: N-MOS 200V, 0.6A, 2W
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор IRF5801TRPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, схемы управления двигателями и многое другое. Его высокие рабочие характеристики, компактный корпус и надежность делают его отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.