Представляем вашему вниманию статическое запоминающее устройство IS61WV5128BLL-10TLI от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Это высокопроизводительная SRAM-память, обладающая широким спектром применений в современной электронной промышленности.

Данный чип SRAM имеет объем памяти 4 Мбит с организацией 512K x 8 и обеспечивает быстродействие до 10 нс. Устройство поддерживает широкий диапазон напряжения питания от 2,4 В до 3,6 В, что делает его универсальным решением для различных электронных схем и систем.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 4M (512K x 8)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 2.07 г
• Примечание: 512K x 8, 2.5/3.3V
• Описание Eng: SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns
• Тип упаковки: Palette (палетта)
• Нормоупаковка: 135 шт

Данный чип SRAM находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как промышленные контроллеры, системы связи, бортовая электроника, медицинское оборудование и многие другие. Его высокая скорость, низкое энергопотребление и широкий диапазон напряжения питания делают его идеальным решением для широкого спектра применений.