• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STY112N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:650В
Ток стока макс.:96A
Сопротивление открытого канала:22 мОм
Мощность макс.:625Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:350нКл
Входная емкость:16870пФ
Тип монтажа:Through Hole
Вес брутто:8.13 г.
Наименование:STY112N65M5
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:30 шт
Корпус:MAX247

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор STY112N65M5 от известного производителя ST Microelectronics. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается высокими техническими характеристиками, что делает её востребованной в различных областях электроники.

Транзистор STY112N65M5 обладает максимальным напряжением сток-исток 650В, номинальным током стока до 96А и сопротивлением открытого канала всего 22 мОм. Эти параметры позволяют использовать данный компонент в мощных силовых схемах, работающих под высоким напряжением.

  • Напряжение исток-сток макс.: 650В
  • Ток стока макс.: 96A
  • Сопротивление открытого канала: 22 мОм
  • Мощность макс.: 625Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 350нКл
  • Входная емкость: 16870пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Вес брутто: 8.13 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 30 шт
  • Корпус: MAX247

Транзистор STY112N65M5 может применяться в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, сварочные аппараты и другие устройства, работающие под высоким напряжением. Благодаря своим характеристикам, данный компонент является отличным выбором для использования в энергоэффективных и надёжных электронных системах.