Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор N-канала IRF8010PBF от Infineon Technologies. Данный компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре электронных устройств и силовых схемах.

IRF8010PBF является одним из ведущих решений в линейке одиночных MOSFET транзисторов от Infineon. Он сочетает в себе высокое напряжение, большой ток и низкое сопротивление открытого канала, что делает его идеальным выбором для применений, требующих высокой мощности и производительности.

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 80A
• Сопротивление открытого канала: 15 мОм
• Мощность макс.: 260Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 120нКл
• Входная емкость: 3830пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.69 г

Данный транзистор находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, приводы электродвигателей, системы управления и коммутации мощных нагрузок. Благодаря своим характеристикам, IRF8010PBF отлично подходит для использования в высокопроизводительных и энергоэффективных устройствах.