Полевой транзистор MOSFET IRFB4110PBF от Infineon Technologies - это высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в мощных электронных устройствах. Этот N-канальный транзистор с логическим уровнем управления затвором обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его незаменимым в широком спектре применений.

Основные преимущества IRFB4110PBF включают в себя высокое напряжение сток-исток до 100В, максимальный ток стока до 120А и выдающуюся малую величину сопротивления открытого канала всего 4.5 мОм. Эти параметры позволяют использовать данный транзистор в схемах с очень высокой мощностью до 370Вт.

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 120A
• Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
• Мощность макс.: 370Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 210нКл
• Входная емкость: 9620пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.94 г

Транзистор IRFB4110PBF идеально подходит для использования в мощных преобразователях постоянного тока, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания, электромоторах и других высокотоковых приложениях. Его высокая надежность и эффективность делают его одним из лучших выборов для инженеров, работающих над проектами с повышенными требованиями к мощности и производительности.