FDG312P, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 480мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 330пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-363 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | FDG312P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDG312P, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.