Представляем вашему вниманию статическое ОЗУ IS61WV25616BLL-10TLI от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Это высокопроизводительная асинхронная SRAM-память с объемом 4 Мбит, организованная в виде 256K x 16 бит. Она отличается быстрым временем доступа 10 нс и поддерживает широкий диапазон питающего напряжения от 2,4 В до 3,6 В, что делает её универсальным решением для многих электронных устройств.

Основные характеристики данного компонента:

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 4M (256K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 3.11 г.
• Примечание: 256K x 16, 2.5/3.3V
• Описание Eng: SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns
• Тип упаковки: Palette (палетта)
• Нормоупаковка: 135 шт

Благодаря своим характеристикам, данный компонент SRAM-памяти находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как промышленные контроллеры, системы хранения данных, сетевое оборудование, а также в других приложениях, требующих быстрого доступа к памяти и широкого диапазона питающего напряжения.