STP3NK90ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.8 Ом |
| Мощность макс.: | 25Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 22.7нКл |
| Входная емкость: | 590пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.48 г. |
| Наименование: | STP3NK90ZFP |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 900V 3A 25W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор STP3NK90ZFP от ведущего производителя электронных компонентов ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежной работы при высоких напряжениях и токах.
Транзистор STP3NK90ZFP отличается впечатляющими техническими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 900В, максимальный ток стока 3А и максимальная мощность 25Вт. Данные параметры делают его идеальным выбором для применения в различных силовых схемах, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие высокомощные электронные устройства.
- Напряжение исток-сток макс.: 900В
- Ток стока макс.: 3A
- Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
- Мощность макс.: 25Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 22.7нКл
- Входная емкость: 590пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220F
- Вес брутто: 2.48 г
Транзистор STP3NK90ZFP найдет широкое применение в различных областях электроники, таких как высоковольтные источники питания, системы управления электродвигателями, импульсные преобразователи, инверторы для солнечных панелей и многое другое. Его надежность и высокие технические характеристики делают его незаменимым компонентом для разработки современных и эффективных электронных устройств.