• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP3NK90ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:900В
Ток стока макс.:3A
Сопротивление открытого канала:4.8 Ом
Мощность макс.:25Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:22.7нКл
Входная емкость:590пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220F
Вес брутто:2.48 г.
Наименование:STP3NK90ZFP
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:Field-effect transistor, N-channel, 900V 3A 25W
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор STP3NK90ZFP от ведущего производителя электронных компонентов ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежной работы при высоких напряжениях и токах.

Транзистор STP3NK90ZFP отличается впечатляющими техническими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 900В, максимальный ток стока 3А и максимальная мощность 25Вт. Данные параметры делают его идеальным выбором для применения в различных силовых схемах, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие высокомощные электронные устройства.

  • Напряжение исток-сток макс.: 900В
  • Ток стока макс.: 3A
  • Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
  • Мощность макс.: 25Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 22.7нКл
  • Входная емкость: 590пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220F
  • Вес брутто: 2.48 г

Транзистор STP3NK90ZFP найдет широкое применение в различных областях электроники, таких как высоковольтные источники питания, системы управления электродвигателями, импульсные преобразователи, инверторы для солнечных панелей и многое другое. Его надежность и высокие технические характеристики делают его незаменимым компонентом для разработки современных и эффективных электронных устройств.