STF13NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 360 мОм |
| Мощность макс.: | 25Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 790пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.56 г. |
| Наименование: | STF13NM60N |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор STF13NM60N от компании ST Microelectronics. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается широкими функциональными возможностями, надежностью и долговечностью.
STF13NM60N - это N-канальный транзистор с максимальным напряжением сток-исток 600В и максимальным током стока 11А. Он обладает низким сопротивлением открытого канала всего 360 мОм, что позволяет ему эффективно справляться с высокими токовыми нагрузками при мощности до 25Вт. Конструкция в корпусе TO-220F с возможностью установки методом сквозного монтажа делает этот транзистор универсальным решением для широкого спектра применений.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 11A
- Сопротивление открытого канала: 360 мОм
- Мощность макс.: 25Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 30нКл
- Входная емкость: 790пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220F
- Вес брутто: 2.56 г
- Упаковка: Tube (туба), 50 шт
Транзистор STF13NM60N находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, регуляторы напряжения, устройства плавного пуска и другие схемы, требующие использования высоковольтных, высокотоковых ключевых элементов. Благодаря своим техническим характеристикам и надежной конструкции этот транзистор является оптимальным выбором для разработчиков электронных устройств, ориентированных на высокую производительность и энергоэффективность.