• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STF13NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:11A
Сопротивление открытого канала:360 мОм
Мощность макс.:25Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:30нКл
Входная емкость:790пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220F
Вес брутто:2.56 г.
Наименование:STF13NM60N
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор STF13NM60N от компании ST Microelectronics. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается широкими функциональными возможностями, надежностью и долговечностью.

STF13NM60N - это N-канальный транзистор с максимальным напряжением сток-исток 600В и максимальным током стока 11А. Он обладает низким сопротивлением открытого канала всего 360 мОм, что позволяет ему эффективно справляться с высокими токовыми нагрузками при мощности до 25Вт. Конструкция в корпусе TO-220F с возможностью установки методом сквозного монтажа делает этот транзистор универсальным решением для широкого спектра применений.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 11A
  • Сопротивление открытого канала: 360 мОм
  • Мощность макс.: 25Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 30нКл
  • Входная емкость: 790пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220F
  • Вес брутто: 2.56 г
  • Упаковка: Tube (туба), 50 шт

Транзистор STF13NM60N находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, регуляторы напряжения, устройства плавного пуска и другие схемы, требующие использования высоковольтных, высокотоковых ключевых элементов. Благодаря своим техническим характеристикам и надежной конструкции этот транзистор является оптимальным выбором для разработчиков электронных устройств, ориентированных на высокую производительность и энергоэффективность.