STP65NF06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65А 0.015 Ом, 110Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 60A |
| Сопротивление открытого канала: | 14 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 75нКл |
| Входная емкость: | 1700пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.74 г. |
| Наименование: | STP65NF06 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор STP65NF06 от ведущего производителя ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими характеристиками и широким спектром применения в различных электронных устройствах.
STP65NF06 - это транзистор с вертикальной структурой, который отличается низким сопротивлением открытого канала, высокой надежностью и эффективностью. Его ключевые технические параметры делают его идеальным выбором для использования в мощных коммутационных схемах, источниках питания, инверторах и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 60A
- Сопротивление открытого канала: 14 мОм
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 75нКл
- Входная емкость: 1700пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.74 г.
Транзистор STP65NF06 находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи, усилители мощности, и многие другие устройства, где требуются надежные компоненты с высокими характеристиками. Благодаря своим техническим параметрам, он является отличным выбором для использования в современных энергоэффективных и высокопроизводительных электронных системах.