Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRF1018EPBF. Данный компонент отличается надежностью, высокими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IRF1018EPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 60В, максимальным током стока 79А и сопротивлением открытого канала всего 8.4 мОм. Эти характеристики позволяют использовать данный MOSFET в мощных силовых схемах с высокими токовыми нагрузками, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие устройства.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 79A
• Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 69нКл
• Входная емкость: 2290пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.82 г

Транзистор IRF1018EPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как силовая электроника, автомобильная электроника, промышленное оборудование, источники питания, инверторы и многое другое. Благодаря своим высоким техническим характеристикам, надежности и доступной стоимости, данный компонент является отличным выбором для реализации мощных и эффективных электронных систем.