Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFB52N15DPBF от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает отличными характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор IRFB52N15DPBF отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью. Он идеально подходит для использования в различных силовых схемах, преобразователях, источниках питания и других устройствах, где требуется управление высокими токами и напряжениями.

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 51A
• Сопротивление открытого канала: 32 мОм
• Мощность макс.: 3.8Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 89нКл
• Входная емкость: 2770пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.85 г.

Транзистор IRFB52N15DPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи, усилители мощности, системы управления двигателями и многие другие устройства, где требуется надежное и эффективное управление высокими напряжениями и токами. Его высокие характеристики и универсальность делают его незаменимым компонентом для современных электронных систем.