STD1NK60T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.5 Ом |
| Мощность макс.: | 30Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.7В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 156пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.47 г. |
| Наименование: | STD1NK60T4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-CHANNEL 600V - 8 Ohm - 1A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор STD1NK60T4 от компании ST Microelectronics. Это высококачественный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств и силовых применений.
Данный транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и производительностью. Он обладает впечатляющими характеристиками, такими как максимальное напряжение сток-исток 600В, максимальный ток стока 1А и малое сопротивление открытого канала всего 8.5 Ом. Эти параметры делают транзистор STD1NK60T4 идеальным выбором для применения в различных схемах, требующих коммутации высоких напряжений и токов.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 1A
- Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
- Мощность макс.: 30Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
- Заряд затвора: 10нКл
- Входная емкость: 156пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.47 г
- Описание Eng: N-CHANNEL 600V - 8 Ohm - 1A
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD1NK60T4 широко применяется в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, регуляторы мощности, системы управления двигателями и другие схемы, требующие надежную коммутацию высоких напряжений и токов. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для использования в высокоэффективных и надежных силовых электронных устройствах.