STD7NM80, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.5А 90Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 6.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.05 Ом |
| Мощность макс.: | 90Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 620пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | STD7NM80 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-channel 800V - 0.85Y - 6.5A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET STD7NM80 от компании ST Microelectronics. Это надежный и высокопроизводительный компонент, обладающий рядом уникальных характеристик, которые делают его незаменимым в широком спектре электронных устройств.
Транзистор STD7NM80 относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается высоким напряжением между истоком и стоком, а также низким сопротивлением открытого канала, что позволяет ему эффективно справляться с высокими токовыми нагрузками и мощностями.
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 6.5A
- Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом
- Мощность макс.: 90Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 18нКл
- Входная емкость: 620пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.6 г
- Описание Eng: N-channel 800V - 0.85Y - 6.5A
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD7NM80 находит широкое применение в самых разных областях электроники, включая импульсные источники питания, высоковольтные коммутаторы, инверторы, преобразователи напряжения, а также в системах управления двигателями и других устройствах, где требуется высокая мощность и надежность. Благодаря своим характеристикам, он является оптимальным решением для многих современных электронных систем.