STN1HNK60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 400мА |
| Сопротивление открытого канала: | 8.5 Ом |
| Мощность макс.: | 3.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.7В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 156пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | STN1HNK60 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-CHANNEL 600V 8 Ohm 0.4A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор N-канала STN1HNK60 от компании ST Microelectronics. Этот надёжный компонент обладает рядом ключевых характеристик, которые делают его незаменимым в различных электронных схемах и устройствах.
Транзистор STN1HNK60 отличается высоким рабочим напряжением до 600 В и максимальным током стока до 400 мА, что обеспечивает его широкое применение в силовой электронике, импульсных источниках питания, коммутирующих устройствах и других областях, где требуется высокая надёжность и производительность.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 400мА
- Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
- Мощность макс.: 3.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
- Заряд затвора: 10нКл
- Входная емкость: 156пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.25 г.
- Описание Eng: N-CHANNEL 600V 8 Ohm 0.4A
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
Транзистор STN1HNK60 идеально подходит для использования в различных силовых схемах, инверторах, коммутаторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других устройствах, где требуется высокая надёжность и производительность при работе с высокими напряжениями и токами. Благодаря своим характеристикам и особенностям, этот транзистор является отличным выбором для широкого спектра применений в современной электронике.