STN1NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25А 3.3Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 300мА |
| Сопротивление открытого канала: | 15 Ом |
| Мощность макс.: | 3.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 6.9нКл |
| Входная емкость: | 94пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.24 г. |
| Наименование: | STN1NK60Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор STN1NK60Z от ST Microelectronics - надежный и высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств. Данная модель отличается высоким напряжением сток-исток до 600 В, что делает ее идеальным выбором для применения в схемах с повышенными требованиями к напряжению.
Транзистор STN1NK60Z обладает рядом ключевых характеристик, обеспечивающих его эффективную и надежную работу:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 300мА
- Сопротивление открытого канала: 15 Ом
- Мощность макс.: 3.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 6.9нКл
- Входная емкость: 94пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.24 г
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
Транзистор STN1NK60Z широко используется в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, а также в системах управления двигателями и другой силовой электронике. Его высокие рабочие характеристики, компактный корпус и возможность поверхностного монтажа делают его отличным выбором для инженеров, стремящихся к оптимизации размеров и повышению эффективности своих разработок.