• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP13NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:13A
Сопротивление открытого канала:550 мОм
Мощность макс.:150Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:92нКл
Входная емкость:2030пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220
Вес брутто:2.82 г.
Наименование:STP13NK60Z
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой MOSFET транзистор STP13NK60Z от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент является отличным решением для широкого спектра применений в силовой электронике и промышленной автоматизации.

Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 600 В, максимальный ток стока 13 А и низкое сопротивление открытого канала всего 550 мОм. Эти показатели позволяют использовать STP13NK60Z в высоковольтных и высокотоковых схемах, обеспечивая при этом высокую эффективность и надежность работы.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 13A
  • Сопротивление открытого канала: 550 мОм
  • Мощность макс.: 150Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 92нКл
  • Входная емкость: 2030пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220

Транзистор STP13NK60Z находит широкое применение в таких областях, как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, регуляторы напряжения, инверторы и другие высокопроизводительные силовые схемы. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к повышению эффективности и надежности своих устройств.