Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала STP24NM60N от компании ST Microelectronics. Данная модель отличается надежностью, высокой мощностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Основные характеристики транзистора STP24NM60N:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 17A
• Сопротивление открытого канала: 190 мОм
• Мощность макс.: 125Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 46нКл
• Входная емкость: 1400пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.77 г
• Описание Eng: N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP24NM60N от ST Microelectronics идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в системах управления двигателями и другой промышленной электронике. Его высокая надежность и производительность делают его отличным выбором для широкого спектра применений.