STP5NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 4.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.4 Ом |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 45.5нКл |
| Входная емкость: | 910пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | STP5NK80Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор STP5NK80Z от известного производителя ST Microelectronics. Этот N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 800 В и током стока до 4.3 А обеспечивает надежную работу в широком спектре электронных устройств и применений.
Ключевые характеристики транзистора STP5NK80Z:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 4.3A
- Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 45.5нКл
- Входная емкость: 910пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 3.5 г.
Транзистор STP5NK80Z от ST Microelectronics идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, драйверы двигателей и другие приложения, требующие высокого напряжения и тока. Благодаря своим превосходным характеристикам, надежности и удобству монтажа, данный транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков электронных устройств.