STP9NK50ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 7.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 850 мОм |
| Мощность макс.: | 30Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 32нКл |
| Входная емкость: | 910пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.46 г. |
| Наименование: | STP9NK50ZFP |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS+D 500V, 7.2A, 30W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор STP9NK50ZFP от компании ST Microelectronics. Этот N-канальный MOSFET транзистор обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств и применений.
Основными преимуществами данного транзистора являются высокое напряжение сток-исток (до 500В), большой ток стока (до 7.2А) и низкое сопротивление открытого канала (850 мОм), что позволяет использовать его в мощных схемах с высокими рабочими напряжениями и токами. Кроме того, транзистор рассчитан на максимальную мощность 30Вт, что делает его надежным и эффективным решением для различных применений.
- Напряжение исток-сток макс.: 500В
- Ток стока макс.: 7.2A
- Сопротивление открытого канала: 850 мОм
- Мощность макс.: 30Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 32нКл
- Входная емкость: 910пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220F
Транзистор STP9NK50ZFP находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, а также в промышленном и бытовом оборудовании, требующем надежного и эффективного управления высокими напряжениями и токами. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать надежные и высокопроизводительные электронные устройства.