• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF630NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:200В
Ток стока макс.:9.3A
Сопротивление открытого канала:300 мОм
Мощность макс.:82Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:35нКл
Входная емкость:575пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:2.31 г.
Наименование:IRF630NSTRLPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канального типа IRF630NSTRLPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данный компонент отличается превосходными характеристиками и широким диапазоном применения в современной электронике.

Транзистор IRF630NSTRLPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 200 В, максимальным током стока 9,3 А и максимальной мощностью 82 Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 300 мОм, он демонстрирует высокую эффективность и малые потери при коммутации мощных нагрузок. Конструкция в корпусе D2Pak (TO-263) позволяет эффективно отводить тепло, обеспечивая надежную работу даже в сложных условиях эксплуатации.

  • Напряжение исток-сток макс.: 200В
  • Ток стока макс.: 9.3A
  • Сопротивление открытого канала: 300 мОм
  • Мощность макс.: 82Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 35нКл
  • Входная емкость: 575пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 2.31 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор IRF630NSTRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи энергии, усилители мощности, инверторы и многое другое. Его высокая надежность и энергоэффективность делают его незаменимым компонентом в современных электронных устройствах.