BSP320SH6327XTSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.9А 1.8Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 2.9A |
| Мощность макс.: | 1.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.12 г. |
| Наименование: | BSP320SH6327XTSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала от ведущего производителя Infineon Technologies - BSP320SH6327XTSA1. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широкими возможностями применения в современной электронике.
Транзистор BSP320SH6327XTSA1 обладает максимальным напряжением сток-исток 60В, максимальным током стока 2.9А и максимальной мощностью 1.8Вт. Он выполнен в прочном корпусе SMD-типа SOT-223, что позволяет использовать его в компактных устройствах. Благодаря автомобильным спецификациям, этот транзистор идеально подходит для применения в различных электронных системах транспортных средств.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 2.9A
- Мощность макс.: 1.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Automotive
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.12 г
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 1000 шт
Транзистор BSP320SH6327XTSA1 находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как источники питания, двигатели, усилители мощности, коммутирующие схемы и многое другое. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для использования в автомобильной электронике, промышленной автоматизации, бытовой технике и других областях, где требуются надежные, высокопроизводительные и компактные полупроводниковые компоненты.