Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFB42N20DPBF от надежного производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих высокой надежности и производительности.

Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя:

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 44A
• Сопротивление открытого канала: 55 мОм
• Мощность макс.: 2.4Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
• Заряд затвора: 140нКл
• Входная емкость: 3430пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220 Isolated Tab
• Вес брутто: 2.69 г.
• Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 200V 44A 300W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Благодаря своим впечатляющим характеристикам, транзистор IRFB42N20DPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как высокоэффективные импульсные источники питания, инверторы для солнечных панелей, регуляторы напряжения, а также в промышленной автоматизации и других приложениях, требующих высокую мощность и надежность.