NTS4173PT1G, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 1.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 150 мОм |
| Мощность макс.: | 290мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 10.1нКл |
| Входная емкость: | 430пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-323 |
| Наименование: | NTS4173PT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
NTS4173PT1G, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.