NTMS4177PR2G, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 6.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 840мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 55нКл |
| Входная емкость: | 3100пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | NTMS4177PR2G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент NTMS4177PR2G, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 840мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.