NTTFS5116PLTAG, Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 5.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 52 мОм |
| Мощность макс.: | 3.2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 1258пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | WDFN8 |
| Наименование: | NTTFS5116PLTAG |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1500 шт. |
Описание
NTTFS5116PLTAG, Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.