IRF6215PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 13A |
| Сопротивление открытого канала: | 290 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 860пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 3.04 г. |
| Наименование: | IRF6215PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Fifth Generation HEXFETs P-channel -150V; -13A; 0.29 Om |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IRF6215PBF от Infineon Technologies. Этот P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток до 150В и максимальным током стока до 13А станет надежным и эффективным решением для широкого спектра электронных устройств и систем.
Транзистор IRF6215PBF отличается высокой производительностью и энергоэффективностью благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 290 мОм. Это делает его идеальным выбором для применения в схемах с высокой мощностью, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока и другие устройства, требующие надежных и мощных ключевых элементов.
- Напряжение исток-сток макс.: 150В
- Ток стока макс.: 13A
- Сопротивление открытого канала: 290 мОм
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 66нКл
- Входная емкость: 860пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
Транзистор IRF6215PBF может применяться в различных областях электроники, включая системы управления двигателями, импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, усилители мощности и другие устройства, где требуются надежные и высокопроизводительные ключевые элементы. Благодаря своим характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор станет отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и долговечные электронные системы.