IRF7809AVPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 13.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 9 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 62нКл |
| Входная емкость: | 3780пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.16 г. |
| Наименование: | IRF7809AVPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Компонент IRF7809AVPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.3A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.