FQB34N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 31A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 72нКл |
| Входная емкость: | 3900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2 г. |
| Наименование: | FQB34N20LTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
FQB34N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.