FDMS86201, Полевой транзистор, N-канальный, 120 В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 120В |
| Ток стока макс.: | 11.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 11.5 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 46нКл |
| Входная емкость: | 2735пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Вес брутто: | 0.1 г. |
| Наименование: | FDMS86201 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDMS86201, Полевой транзистор, N-канальный, 120 В - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.