• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

NDS351N, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.1 А

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:1.1A
Сопротивление открытого канала:160 мОм
Мощность макс.:460мВт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:3.5нКл
Входная емкость:140пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOT23-3
Наименование:NDS351N
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт.

Описание

NDS351N, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.1 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.