NDT2955, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 2.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 300 мОм |
| Мощность макс.: | 1.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 601пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.38 г. |
| Наименование: | NDT2955 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
NDT2955, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.