Представляем вашему вниманию транзистор STR2N2VH5 от компании ST Microelectronics. Это высокопроизводительный N-канальный полевой MOSFET-транзистор, который отличается надежностью, эффективностью и универсальностью применения в различных электронных устройствах.

Данная модель транзистора обладает впечатляющими техническими характеристиками, включая максимальное напряжение сток-исток 20В, максимальный ток стока 2.3А и низкое сопротивление открытого канала всего 30 мОм. Эти показатели делают STR2N2VH5 отличным выбором для применения в схемах с высокой мощностью и эффективностью.

• Напряжение исток-сток макс.: 20В
• Ток стока макс.: 2.3А
• Сопротивление открытого канала: 30 мОм
• Мощность макс.: 350мВт
• Тип транзистора: N-канальный
• Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• Пороговое напряжение включения макс.: 700мВ
• Заряд затвора: 4.6нКл
• Входная емкость: 367пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-23

Благодаря своим характеристикам, транзистор STR2N2VH5 идеально подходит для широкого спектра применений, включая импульсные источники питания, регуляторы напряжения, драйверы двигателей, усилители мощности и другие схемы, где требуется высокая производительность и эффективность. Его компактный корпус SOT-23 также делает его отличным выбором для использования в миниатюрных электронных устройствах.