IRFB3206GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 3 мОм @ 75А, 10В |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 170нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 6540пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Наименование: | IRFB3206GPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRFB3206GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.