• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF3205STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:55В
Ток стока макс.:110A
Сопротивление открытого канала:8 мОм
Мощность макс.:200Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:146нКл
Входная емкость:3247пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:2.24 г.
Наименование:IRF3205STRLPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:800 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от производителя Infineon Technologies - модель IRF3205STRLPBF. Этот высокопроизводительный компонент способен обеспечить надежную коммутацию нагрузок с максимальным напряжением до 55 вольт и током до 110 ампер, при этом демонстрируя минимальное сопротивление открытого канала всего 8 миллиом.

Благодаря своим впечатляющим техническим характеристикам, данный транзистор находит широкое применение в различных областях электроники, где требуется управление мощными нагрузками. Рассмотрим основные параметры этого устройства:

  • Напряжение исток-сток макс.: 55В
  • Ток стока макс.: 110A
  • Сопротивление открытого канала: 8 мОм
  • Мощность макс.: 200Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 146нКл
  • Входная емкость: 3247пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 2.24 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 800 шт

Транзистор IRF3205STRLPBF идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, сварочные аппараты, электродвигатели и другие устройства, где требуется коммутация мощных нагрузок. Его высокая надежность и производительность позволяют создавать эффективные и компактные решения.