SI1012X-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 500мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 500мА |
| Сопротивление открытого канала: | 700 мОм |
| Мощность макс.: | 250мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 900mВ |
| Заряд затвора: | 0.75нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-89 |
| Наименование: | SI1012X-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI1012X-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 500мА - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.