FQA11N90C_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.1 Ом |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 80нКл |
| Входная емкость: | 3290пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 5.4 г. |
| Наименование: | FQA11N90C_F109 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
FQA11N90C_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.