• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

BSH201,215, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 300мА, 0.417Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:NEXPERIA
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:300мА
Сопротивление открытого канала:2.5 Ом
Мощность макс.:417мВт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:3нКл
Входная емкость:70пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOT-23
Вес брутто:0.03 г.
Наименование:BSH201,215
Производитель:NEXPERIA
Описание Eng:MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канальный BSH201,215 от известного производителя NEXPERIA. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применения в различных электронных устройствах.

Транзистор BSH201,215 обладает следующими ключевыми характеристиками:

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 300мА
  • Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
  • Мощность макс.: 417мВт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1В
  • Заряд затвора: 3нКл
  • Входная емкость: 70пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-23
  • Вес брутто: 0.03 г.
  • Описание Eng: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор BSH201,215 широко применяется в различных электронных устройствах, таких как блоки питания, усилители, регуляторы напряжения, а также в схемах с логическим управлением. Благодаря своим характеристикам, этот компонент идеально подходит для использования в компактных и энергоэффективных схемах.