IRF7831TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-SOIC
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 21A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 3.6 мОм @ 20А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 60нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 6240пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7831TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRF7831TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-SOIC - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A(Ta) Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.