IRFSL3006PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 195A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 300нКл |
| Входная емкость: | 8970пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-262 |
| Наименование: | IRFSL3006PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 195A TO262 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRFSL3006PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 50 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал