RFD16N06LESM9A, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 47 мОм |
| Мощность макс.: | 90Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 62нКл |
| Входная емкость: | 1350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | RFD16N06LESM9A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
RFD16N06LESM9A, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.