CY7C1011DV33-10ZSXI, IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP
| Категория: | Статическая память - SRAM |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Тип памяти: | SRAM - Asynchronous |
| Объем и организация памяти: | 2M (128K x 16) |
| Быстродействие: | 10ns |
| Интерфейс: | Parallel |
| Напряжение питания: | 3 V ~ 3.6 V |
| Корпус: | TSOP44-II |
| Вес брутто: | 4.61 г. |
| Наименование: | CY7C1011DV33-10ZSXI |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
| Тип упаковки: | Tray (палетта) |
| Нормоупаковка: | 135 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию статическую оперативную память (SRAM) от компании Infineon Technologies - CY7C1011DV33-10ZSXI. Этот высокопроизводительный чип SRAM обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его востребованным решением для широкого спектра электронных устройств.
Основные особенности и преимущества данной микросхемы SRAM:
- Тип памяти: Асинхронная SRAM
- Объем и организация памяти: 2 Мбит (128K x 16)
- Быстродействие: 10 нс
- Интерфейс: Параллельный
- Напряжение питания: 3 В ~ 3,6 В
- Корпус: TSOP44-II
- Вес брутто: 4,61 г
- Описание на английском: SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
- Тип упаковки: Лоток (палета)
- Нормоупаковка: 135 шт
Данная микросхема SRAM от Infineon Technologies находит широкое применение в различных электронных устройствах, где требуется быстрый доступ к большому объему памяти. Благодаря асинхронному интерфейсу и высокой скорости чтения/записи, микросхема идеально подходит для использования в высокопроизводительных системах, таких как промышленная автоматизация, телекоммуникационное оборудование, системы обработки сигналов, а также в различных встраиваемых решениях. Компактный корпус TSOP44-II и широкий диапазон питающего напряжения делают этот чип SRAM удобным и универсальным решением для инженеров и разработчиков электроники.