Представляем вашему вниманию статическое ОЗУ CY7C1021D-10ZSXI от Infineon Technologies - высокопроизводительный и надежный компонент памяти, идеально подходящий для широкого спектра электронных устройств. Этот модуль SRAM обеспечивает быстрый доступ к данным с впечатляющим временем задержки всего 10 наносекунд, что делает его незаменимым решением для приложений, требующих молниеносной обработки информации.

Благодаря своей емкости в 1 Мбит (64K x 16) и параллельному интерфейсу, CY7C1021D-10ZSXI предлагает впечатляющие возможности для хранения и обмена данными. Работая при напряжении питания от 4.5 В до 5.5 В, этот модуль SRAM обеспечивает стабильную и надежную работу в широком диапазоне условий эксплуатации.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 1M (64K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
• Корпус: TSOP44-II
• Описание на английском: IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP
• Тип упаковки: Tray (палетта)
• Нормоупаковка: 405 шт

CY7C1021D-10ZSXI находит широкое применение в самых разнообразных электронных устройствах, где требуется высокоскоростное хранение и обработка данных. Этот модуль SRAM идеально подходит для использования в промышленной автоматизации, медицинском оборудовании, системах связи, игровых консолях и многих других приложениях, где критически важны производительность, надежность и энергоэффективность.