CY7C199D-10VXI, IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
| Категория: | Статическая память - SRAM |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Тип памяти: | SRAM - Asynchronous |
| Объем и организация памяти: | 256K (32K x 8) |
| Быстродействие: | 10ns |
| Интерфейс: | Parallel |
| Напряжение питания: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Вес брутто: | 1.8 г. |
| Наименование: | CY7C199D-10VXI |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 27 шт |
| Корпус: | SOJ28 |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный микросхему статической оперативной памяти SRAM CY7C199D-10VXI от компании Infineon Technologies. Данное устройство отличается надежностью, высокой скоростью работы и широким спектром применения в современной электронике.
Микросхема CY7C199D-10VXI обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Тип памяти: SRAM - Asynchronous
- Объем и организация памяти: 256K (32K x 8)
- Быстродействие: 10ns
- Интерфейс: Parallel
- Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
- Вес брутто: 1.8 г.
- Описание Eng: SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 27 шт
- Корпус: SOJ28
Микросхема CY7C199D-10VXI находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как промышленные контроллеры, системы связи, бытовая электроника и многое другое. Благодаря высокой скорости работы и большому объему памяти, данная микросхема идеально подходит для реализации быстрых буферов и кэш-памяти в современных электронных системах.