Представляем вашему вниманию высокопроизводительное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) от компании Infineon Technologies - CY7C199D-10VXIT. Данный компонент обладает объемом памяти 256 Кбит, организованной в конфигурации 32K x 8, и отличается сверхбыстрым временем доступа 10 наносекунд. Это делает его идеальным решением для широкого спектра применений, где требуется высокая производительность и надежность.

Благодаря параллельному интерфейсу и стабильному напряжению питания 4.5 В - 5.5 В, CY7C199D-10VXIT легко интегрируется в различные электронные системы, обеспечивая высокую скорость передачи данных и эффективное управление памятью.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 256K (32K x 8)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
• Вес брутто: 1.5 г
• Описание Eng: IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт
• Корпус: SOJ28

CY7C199D-10VXIT находит широкое применение в различных областях электроники, таких как промышленная автоматизация, телекоммуникационное оборудование, встраиваемые системы и многое другое. Его высокая производительность и надежность делают его незаменимым компонентом для решения широкого спектра задач, требующих быстрого доступа к памяти.