IRFS59N10DPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100V |
| Ток стока макс.: | 59A |
| Сопротивление открытого канала: | 25 mOhm |
| Мощность макс.: | 3.8W |
| Тип транзистора: | N-Channel |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5V |
| Заряд затвора: | 114nC |
| Входная емкость: | 2450pF |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 2.3 г. |
| Наименование: | IRFS59N10DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFS59N10DPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100V Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 25 mOhm Мощность макс.: 3.8W Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 5.5V
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.