IPW90R120C3XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 36A |
| Сопротивление открытого канала: | 120 мОм |
| Мощность макс.: | 417Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 270нКл |
| Входная емкость: | 6800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | PG-TO247 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | IPW90R120C3XKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокомощный полевой транзистор N-канала IPW90R120C3XKSA1 от Infineon Technologies. Этот надежный и производительный компонент разработан для широкого спектра применений в современной электронной промышленности.
Транзистор IPW90R120C3XKSA1 отличается высоким напряжением между истоком и стоком, достигающим 900 вольт, и максимальным током стока до 36 ампер. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 120 миллиом, устройство демонстрирует превосходные характеристики энергоэффективности и потерь мощности, что делает его идеальным выбором для высоковольтных силовых применений.
- Напряжение исток-сток макс.: 900В
- Ток стока макс.: 36A
- Сопротивление открытого канала: 120 мОм
- Мощность макс.: 417Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
- Заряд затвора: 270нКл
- Входная емкость: 6800пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: PG-TO247
- Вес брутто: 3.5 г
Транзистор IPW90R120C3XKSA1 находит широкое применение в высоковольтных импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, сварочном оборудовании, промышленной автоматике и многих других областях, где требуются высокая мощность, надежность и энергоэффективность. Благодаря своим выдающимся характеристикам, этот компонент является отличным выбором для современных энергосберегающих и высокопроизводительных электронных систем.