• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPW90R120C3XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:900В
Ток стока макс.:36A
Сопротивление открытого канала:120 мОм
Мощность макс.:417Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.5В
Заряд затвора:270нКл
Входная емкость:6800пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:PG-TO247
Вес брутто:3.5 г.
Наименование:IPW90R120C3XKSA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:30 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокомощный полевой транзистор N-канала IPW90R120C3XKSA1 от Infineon Technologies. Этот надежный и производительный компонент разработан для широкого спектра применений в современной электронной промышленности.

Транзистор IPW90R120C3XKSA1 отличается высоким напряжением между истоком и стоком, достигающим 900 вольт, и максимальным током стока до 36 ампер. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 120 миллиом, устройство демонстрирует превосходные характеристики энергоэффективности и потерь мощности, что делает его идеальным выбором для высоковольтных силовых применений.

  • Напряжение исток-сток макс.: 900В
  • Ток стока макс.: 36A
  • Сопротивление открытого канала: 120 мОм
  • Мощность макс.: 417Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
  • Заряд затвора: 270нКл
  • Входная емкость: 6800пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: PG-TO247
  • Вес брутто: 3.5 г

Транзистор IPW90R120C3XKSA1 находит широкое применение в высоковольтных импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, сварочном оборудовании, промышленной автоматике и многих других областях, где требуются высокая мощность, надежность и энергоэффективность. Благодаря своим выдающимся характеристикам, этот компонент является отличным выбором для современных энергосберегающих и высокопроизводительных электронных систем.