Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF1010EZPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент отлично подходит для широкого спектра применений в электронной и силовой электронике.

Транзистор IRF1010EZPBF обладает впечатляющими техническими характеристиками, включая максимальное напряжение сток-исток 60В, максимальный ток стока 75А и максимальную мощность 140Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 8.5 мОм, этот MOSFET отличается высокой эффективностью и малыми потерями.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 75А
• Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
• Мощность макс.: 140Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 86нКл
• Входная емкость: 2810пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.76 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF1010EZPBF находит широкое применение в различных областях электронной и силовой электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, сварочное оборудование, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая производительность, надежность и универсальность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков.