Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies – IRF1010EPBF. Этот транзистор отличается высокой надежностью и производительностью, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств и систем.

Ключевые характеристики этого транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток в 60 вольт, максимальный ток стока до 84 ампер и сопротивление открытого канала всего 12 миллиом. Благодаря этим параметрам, IRF1010EPBF способен коммутировать мощности до 200 ватт, что делает его отличным выбором для применения в высокомощных схемах.

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 84A
• Сопротивление открытого канала: 12 мОм
• Мощность макс.: 200Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 130нКл
• Входная емкость: 3210пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.8 г.

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRF1010EPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, приводы электродвигателей, сварочное оборудование, системы освещения и многое другое. Его высокая производительность и надежность делают его идеальным выбором для использования в ответственных схемах и устройствах.